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O centro de pesquisas da IBM comunicou hoje o desenvolvimento de chips de 7 nanômetros em nome de um consórcio internacional liderado pela empresa. A parceria é uma iniciativa público-privada do estado de Nova York e de empresas como a Samsung e a própria IBM, que investiu cerca de US$ 3 bilhões no projeto.

Um dos principais desafios do mercado de semicondutores é a velocidade de desenvolvimento de transistores, que costumam dobrar de densidade a cada dois anos. A façanha da IBM reduz pela metade o padrão comercial praticado atualmente, de 14 nanômetros, que ainda está se expandindo no mercado. A geração de 7 nn, portanto, é experimental e deve demorar alguns anos para chegar aos dispositivos dos consumidores.

A diminuição na escala foi possível a partir da substituição do silício puro pelo silício germânio (SiGe), uma liga capaz de aumentar a mobilidade dos elétrons nos transistores. Cada geração reduz em cerca de 50% a área necessária para abrigar uma mesma quantidade de circuitos eletrônicos. De acordo com os pesquisadores, será necessário usar novos materiais e técnicas de fabricação, devido ao pequeno tamanho dos transistores.

A IBM não informou quando deverá começar a produção comercial dos chips. Recentemente, a Taiwan Semiconductor Manufacturing Company afirmou que planeja começar a produção de pilotos do chip de sete nanômetros em 2017.

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